2025年12月6日，天津工业大学8455新葡萄官网版将举办首届博士生学术论坛。本次论坛以“产学研深度融合、协同创新引领未来”为核心主题，旨在打造一个高水平的学术交流平台，促进博士研究生围绕重大科技需求、产业发展痛点与学科交叉前沿展开深入研讨，加快实现科技成果创新链、产业链、人才链的有效衔接。本次论坛采用线上线下结合模式开展，论坛时间、论坛地点和报告安排如下：

论坛主题：“产学研深度融合、协同创新引领未来”

论坛时间：2025年12月6日星期六09:00-15:30

论坛地点：天津工业大学8455新葡萄官网版4A301会议室

腾讯会议：116-542-552

报告题目1：基于“风险熵减指数”的健康风险智能减量平台——打造“科技+服务+保险”的主动健康新生态

报告人简介：

雷桥兵，天津工业大学电子信息工程专业博士在读，北京大学MBA，深圳职协专家，历任中国安防技术有限公司技术部部长、深圳奇信股份有限公司副总裁、深华建设（深圳）股份有限公司副总裁，现任深圳市安熵纪元科技有限公司创始人/董事长。主要研究方向为人工智能在健康风险预测与风险干预领域的应用。累计取得了三项发明专利（第一作者）以及十余项行业专题研究报告，涵盖安防、消防、智慧城市、智慧园区、智慧医疗等行业;主导项目《前海自贸大厦装饰物联网项目》获得中国绿色建筑装饰示范工程奖、深圳市金鹏奖等奖项；主导的《城市集群智慧型模块化消防站项目》，全面提升了城市消防应急救援能力及管理水平，技术转化产生经济效益逾2000万元。

报告摘要：本项目旨在解决“重治疗、轻预防”的传统医疗痛点，创新性地提出并构建一个 “基于‘风险熵减指数’的健康风险智能减量平台”。项目核心是首创 “健康风险熵减指数”，通过多模态健康数据融合，将复杂的健康风险量化为单一、动态、可追踪的指标。围绕该核心，我们设计了“技术”与“服务”两大支柱：技术端依托高校联合实验室进行核心算法与硬件研发；服务端则提供从科学减重到企业健康管理的一站式解决方案。项目构建了 “科技+服务+保险”的闭环商业模式：通过服务获取用户数据，以“熵减指数”预测健康风险与驱动保险创新实现价值转化，并延伸至智能硬件等生态产品。本项目的落地，将推动健康管理从模糊经验走向精准量化，最终实现从“为疾病付费”到“为健康投资”的范式变革。

报告题目2：SiC材料发展面临的机遇和挑战

报告人简介：

周传月，现就读8455新葡萄官网版，博士研究生。本人从事半导体材料行业16年，具有丰富的单晶硅及碳化硅材料相关工作经验。

报告摘要：本文系统探讨了碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体核心材料的整体发展态势。作者分析了SiC材料优异的物理特性，并阐述了其在新能源汽车、轨道交通、智能电网及5G通信等高端领域的关键应用价值，未来在热沉、AR眼镜等领域也将有重大应用。作者结合自身从业经验，概述了全球及国内SiC产业快速扩张的现状与趋势，指出我国在产业链上游大尺寸衬底自主供给、中游高端器件设计及下游规模应用生态等方面面临的紧迫问题。综合而言，SiC材料虽面临制备成本高、技术门槛高、产业链协同不足等多重挑战，但在能源革命与产业升级的强劲驱动下，正迎来前所未有的战略发展机遇。

报告题目3：国家双碳政策和前沿技术介绍

报告人简介：

陈炜华，清华大学硕士，高级工程师，2025级电子信息博士在读，清华大学山西清洁能源研究院数智碳中和联合中心副主任。拥有十年从事国内外低碳领域相 关软件开发和技术工作经验，有低碳领域涵盖众多行业的丰富的项目经验， 自从业以来成功参与涵盖政府，电力，钢铁，国家电网等能源以及碳领域 相关数智化软件项目共计20余个。获得专利8项，出版《引爆产品》《移动端应用开发》两本著作。获得省部级奖项3项。

报告摘要：本次报告将围绕国家双碳政策的全过程进行系统梳理，并对双碳数智化应用深度解析。聚焦国家“2030 年前碳达峰、2060 年前碳中和” 战略目标，解析 “1+N” 政策体系的核心框架与实践路径。双碳政策作为国家重要发展战略，已贯穿能源、工业、交通等关键领域，通过顶层设计与市场机制双轮驱动，推动经济社会全面绿色转型。并将重点分享数智化前沿技术在双碳领域的创新应用：从碳足迹智联技术，寻优降碳技术到新能源电力技术，智慧发电技术等前沿技术。这些技术正成为降碳增效的关键支撑，助力传统产业转型与绿色经济发展，为双碳目标落地注入科技动能。

报告题目4：后摩尔时代半导体材料的技术发展与探索

报告人简介：

张国良，就读于天津工业大学8455新葡萄官网版的在职博士，主要研发方向为高质量半导体外延的制备；在河北普兴电子科技股份有限公司先后从事碳化硅同质外延产品研发、应用支持、市场开发等相关工作，多次参与了国家、省市级项目。

报告摘要：目前的宽禁带半导体材料均属于后摩尔时代材料，重点介绍碳化硅、氧化镓、金刚石材料在技术研发和量产应用过程中的发展与探索情况。主要介绍碳化硅外延片发展及缺陷形成原因，通过优化8寸碳化硅外延片的缺陷密度可以降低到与6英寸相当的水平，为国产8英寸碳化硅外延片的批量应用提供有力的保障及氧化镓量产难点和金刚石初步分析

总体安排： 

（撰稿人：高强 审稿人：牛萍娟）

8455新葡萄官网版

2025年12月5日